雷安萍个人简历 https://wapjbk.39.net/yiyuanzaixian/bjzkbdfyy/etbdf/作为电子陶瓷工业的基础材料，BaTiO3（BTO）具有优异的介电和压电性能。在本工作中，通过静电纺丝PAT制备了纯相BTO和镧掺杂Ba（1-x）LaxTiO3（BLxT）纤维（x=0.、0.、0.和0.）。热处理后的所有纤维均为四方相，且具有良好的结晶度。此外，四方相BTO陶瓷的介电性能优于立方陶瓷。将BTO纤维（BTOF）和粉末（BTOP）压制并烧结成陶瓷片，其具有较好的可成型性。与BTOP陶瓷相比，BTOF陶瓷具有明显的微电容效应，在低频（fHz）下具有较高的介电常数。因此，BTOF陶瓷是一种优良的低频电容材料，可用于低频滤波器。在BTOFs中掺杂La3+，以进一步提高其介电性能。当掺杂浓度为0.9％时，BLxT纤维陶瓷的介电常数达到最大值（25℃，f=Hz）。随着La3+掺杂量的增加，居里温度的下降趋势更加均匀，这在温控电容器的制备中具有显著的优势。图1.前体纤维在空气中的TGA-DSC曲线。图2.经不同温度热处理的前体纤维在空气中的FT-IR光谱。图3.经不同温度热处理的前体纤维在空气中的拉曼光谱。图4.在℃下热处理的BTOFs的XPS全扫描光谱（a）以及Ba3d（b），O1s（c），Ti2p（d）高分辨率XPS光谱。图5.不同温度热处理的BTO前体纤维的XRD图谱。图6.在空气中于不同温度下热处理的BTO前体纤维的SEM图像：℃（a），℃（b），℃（c），℃（d），0℃（e）和1℃（f）。图7.在℃（a），℃（b），0℃（c）和1℃（d）下热处理的BTO前体纤维的照片。图8.在10、12和14MPa的压力，1℃的烧结温度下制备的BTOF陶瓷（a），（c），（e）和BTOP陶瓷（b），（d），（f）的照片。图9.BTOF和BTOP陶瓷样品的频率依赖性：（a）介电常数，（b）介电损耗，以及温度依赖性：（c）介电常数，（d）介电损耗。图10.不同La3+浓度的BLxT（x=0（a），0.（b），0.（c），0.（d）和0.（e））纤维的SEM图像和粒度分布。图11.室温下，五种BLxT陶瓷样品（x=0、0.、0.、0.和0.）的XRD图谱。图12.室温下，五种BLxT纤维陶瓷样品（x=0、0.、0.、0.和0.）的拉曼光谱。图13.BTO和BLxT（x=0.，0.，0.，0.）陶瓷样品的频率依赖性：（a）介电常数，（b）介电损耗，以及温度依赖性：（c）介电常数，（d）介电损耗。
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